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FGY160T65SPD-F085
场截止型沟槽IGBT，内置软快速恢复二极管，低导通和开关损耗，高瞬态可靠性，并联运行性能出色，低EMI，符合AEC - Q101标准
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGY160T65SPD-F085
- 商品编号
- C462113
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 8.222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 882W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 240A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 480A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 40uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.71nF | |
| 输出电容(Coes) | 450pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 55pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 53ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 86ns | |
| 导通损耗(Eon) | 12.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 5.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 132ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |