温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FGH75T65SQD-F155
650V 150A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 飞兆半导体的新型场截止第四代
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH75T65SQD-F155
- 商品编号
- C462122
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输出电容(Coes) | 155pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@75mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 4.845nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 114ns | |
| 导通损耗(Eon) | 746uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 181uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 43ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 14pF |