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NGTB50N120FL2WG
1.2kV 50A
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- 描述
- 这款绝缘栅双极晶体管（IGBT）采用坚固且具有成本效益的场截止 II 型沟槽结构，在苛刻的开关应用中提供卓越性能，兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速续流二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB50N120FL2WG
- 商品编号
- C462118
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 267W | |
| 输出电容(Coes) | 233pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@400uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 311nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.383nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 118ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 282ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 256ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 139pF |