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FGAF20N60SMD
600V、20A场截止型IGBT
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- 描述
- 采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体公司推出的新一代场截止第二代IGBT系列产品，为需要低导通和开关损耗的太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGAF20N60SMD
- 商品编号
- C462121
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输出电容(Coes) | 89pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 60A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
| 输入电容(Cies) | 925pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 91ns | |
| 导通损耗(Eon) | 452uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 187uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 26.7ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF |