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FDA69N25
1个N沟道 耐压:250V 电流:69A
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- 描述
- UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术，是一种高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA69N25
- 商品编号
- C455144
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,34.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 480W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.64nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压VGS(TH) < 1V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备2.5kV HBM静电放电保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
- 另有符合汽车标准的型号（DMC2700UDMQ），其数据手册单独提供
应用领域
-便携式电子设备