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FDD770N15A
1个N沟道 耐压:150V 电流:18A
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描述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDD770N15A商品编号
C455152商品封装
TO-252AA包装方式
编带
商品毛重
0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 77mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 765pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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