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FCD1300N80Z

1个N沟道耐压:800V 电流:4A

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描述: SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FCD1300N80Z
商品编号: C455166
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.42克(g)

商品参数

商品概述

SuperFET II MOSFET 是全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。此外,内部栅源极 ESD 二极管允许经受超过 2 kV HBM 冲击压力。因此,SuperFET II MOSFET 非常适合功率开关应用,如音频、笔记本适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

商品特性

RDS(on) = 1.05 Ω (典型值)
超低栅极电荷(典型值 Qq = 16.2 nC)
低 Eoss (典型值 1.57 uJ @ 400 V)
低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 48.7 pF)
100%经过雪崩测试
符合 RoHS 标准
增强的 ESD 能力

应用领域

AC-DC 电源
LED 照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	1.3Ω@10V
	耗散功率(Pd)	-

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	16.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道