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FDD1600N10ALZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:6.8A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD1600N10ALZ
- 商品编号
- C455167
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 124mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造,该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,并保持出色的开关性能。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 3.4 A 条件下,RDS(on) = 124 m Ω(典型值)
- 在 VGS = 5 V、ID = 2.1 A 条件下,RDS(on) = 175 m Ω(典型值)
- 低栅极电荷(典型值2.78 nC)
- 低 Crss(典型值2.04 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-消费电器-LED电视和显示器-同步整流-不间断电源-微型太阳能逆变器