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FCMT199N60

1个N沟道 耐压:600V 电流:20.2A

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描述
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装(高 1mm),体积和占位都很小 (8x8 mm2)。采用 Power88 封装的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源感应以及分离的电源和驱动源,可提供出色的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCMT199N60
商品编号
C455163
商品封装
Power-88​
包装方式
编带
商品毛重
0.261克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20.2A
导通电阻(RDS(on))199mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)208W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)57nC@10V
输入电容(Ciss)2.715nF@380V
反向传输电容(Crss)60pF@380V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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