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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS2582

1个N沟道 耐压:150V 电流:4.1A

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描述
N 沟道,PowerTrench MOSFET,150 V,4.1 A,66mΩ
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS2582
商品编号
C455164
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1226克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))66mΩ@10V,4.1A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)1.29nF@25V
反向传输电容(Crss)32pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • rDS(ON) = 57 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 4.1 A
  • Qg(tot) = 19 nC(典型值),VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低QRR体二极管
  • 高频下效率优化
  • 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式UPS
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 24V和48V系统的初级开关
  • 高压同步整流器
  • 直喷/柴油喷射系统
  • 42V汽车负载控制
  • 电子气门机构系统

数据手册PDF