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FDMC86244
1个N沟道 耐压:150V 电流:9.4A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86244
- 商品编号
- C455158
- 商品封装
- Power-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 134mΩ@10V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 2.8 A时，最大rDS(on) = 134 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 2.4 A时，最大rDS(on) = 186 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度为1 mm
- 100%通过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换
- MLP 3.3x3.3