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FDMS86252

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:150V 电流:16A

  • SMT扩展库
  • 描述

    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持出色的开关性能。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FDMS86252
  • 商品编号

    C455162
  • 商品封装

    Power-56
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    1克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)51mΩ@10V,4.6A
功率(Pd)69W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)678pF@75V
反向传输电容(Crss@Vds)4.3pF@75V
工作温度-55℃~+150℃

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