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FDMT800120DC
1个N沟道 耐压:120V 电流:128A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT800120DC
- 商品编号
- C455154
- 商品封装
- DualCool-TM-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.85nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货55-57个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
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