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FDMT800120DC
1个N沟道 耐压:120V 电流:128A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT800120DC
- 商品编号
- C455154
- 商品封装
- DualCool-TM-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和Dual CoolTM封装技术完美融合,可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
商品特性
- 最大值 rDS(on) = 4.2 mΩ ( VGS = 10 V, ID = 20 A )
- 最大值 rDS(on) = 6.4 mΩ ( VGS = 6 V, ID = 16 A )
- 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
- 下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
- 薄型8x8mm MLP封装
- MSL1强健封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- OringFET/ 负载开关
- 同步整流
- DC-DC转换