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FDMC86262P
1个P沟道 耐压:150V 电流:2A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并优化提供出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86262P
- 商品编号
- C455157
- 商品封装
- MLP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 307mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 输入电容(Ciss) | 885pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -2 A时,最大rDS(on) = 307 m Ω
- 在VGS = -6 V、ID = -1.8 A时,最大rDS(on) = 356 m Ω
- 极低的rDS(on)中压P沟道硅技术,针对低栅极电荷(Qg)进行优化
- 针对快速开关应用和负载开关应用进行优化
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关