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FDMS86263P
1个P沟道 耐压:150V 电流:22A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86263P
- 商品编号
- C455156
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V,4.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.905nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -4.4 A时，最大rDS(on) = 53 mΩ
- 在VGS = -6 V、ID = -4 A时，最大rDS(on) = 64 mΩ
- 中压P沟道硅技术下极低的导通电阻，针对低栅极电荷进行了优化
- 本产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 经过100%单脉冲雪崩能量测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 有源钳位开关
- 负载开关