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FDD86110
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86110
- 商品编号
- C455153
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.265nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 12.5 A时，最大rDS(on) = 10.2 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 9.8 A时，最大rDS(on) = 16 mΩ
- 100%经过UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换