温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 导通电阻RDS(on)1 = 5 Ω(典型值)
- 2.5V驱动
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
- 静电二极管保护栅极
- 低输入电容Ciss和高速开关