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FCD850N80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD850N80Z
- 商品编号
- C455150
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 710mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻，特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 典型导通电阻 RDS(on) = 710 m Ω(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 22 nC)
- 低输出存储能量 E\text oss(典型值 2.3 μJ,400V 时)
- 低有效输出电容(典型值 C\text oss(eff.) = 106 pF)
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
- 改进的静电放电能力
应用领域
-交流-直流电源-LED 照明