FQU1N60CTU
FQU1N60CTU
- 描述
- N沟道,600V,1A,11.5Ω@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU1N60CTU
- 商品编号
- C455155
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 1 A、600 V，RDS(on) = 11.5 Ω（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 0.5 A
- 低栅极电荷（典型值4.8 nC）
- 低Crss（典型值3.5 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器