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FQD5P20TM
1个P沟道 耐压:200V 电流:3.7A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD5P20TM
- 商品编号
- C455151
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.479克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- -3.7 A，-200 V，RDS(on) = 1.4 Ω（最大值）@ VGS = -10 V，ID = -1.85 A
- 低栅极电荷（典型值10 nC）
- 低Crss（典型值12 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用