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FDMC86116LZ

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:7.5A 电流:3.3A

  • SMT扩展库
  • 描述

    此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FDMC86116LZ
  • 商品编号

    C455147
  • 商品封装

    MLP-8(3.3x3.3)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    1克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)153mΩ@4.5V,2.7A
功率(Pd)19W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)310pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

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