FDMC86116LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:7.5A 电流:3.3A
- SMT扩展库
描述
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDMC86116LZ商品编号
C455147商品封装
MLP-8(3.3x3.3)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 153mΩ@4.5V,2.7A | |
功率(Pd) | 19W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 310pF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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3000+¥3.365217¥10095.65
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