温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC86116LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:7.5A 电流:3.3A
- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86116LZ
- 商品编号
- C455147
- 商品封装
- MLP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 153mΩ@4.5V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用集成屏蔽栅技术的先进 PowerTrench 工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳二极管以提高 ESD 电压等级。
商品特性
- 屏蔽栅 MOSFET 技术
- VGS = 10 V、ID = 3.3 A 时，最大 rDS(on) = 103 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A 时，最大 rDS(on) = 153 mΩ
- 典型 HBM ESD 保护等级 >3 KV
- 100% 通过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流 - 直流转换