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HDMP2160UW
耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备1.8A的额定电流（ID），能够承受最高20V的漏源电压（VDSS），适用于设计要求较低电流而有一定电压耐受性的电路。其导通电阻（RDSON）为120毫欧，在开启状态下可有效控制能量损耗。该MOSFET支持最大±8V的栅源电压（VGS），提供了稳定的控制信号范围。适用于消费电子产品、智能家居组件内的电源路径管理或负载开关等场合。
- 商品型号
- HDMP2160UW
- 商品编号
- C42401168
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
H2N7002K7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 0.3 A
- RDS(ON) < 2 Ω @ VGS = 10 V
- ESD等级：HBM ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源