HDMP2160UW
HDMP2160UW
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备1.8A的额定电流（ID），能够承受最高20V的漏源电压（VDSS），适用于设计要求较低电流而有一定电压耐受性的电路。其导通电阻（RDSON）为120毫欧，在开启状态下可有效控制能量损耗。该MOSFET支持最大±8V的栅源电压（VGS），提供了稳定的控制信号范围。适用于消费电子产品、智能家居组件内的电源路径管理或负载开关等场合。
- 商品型号
- HDMP2160UW
- 商品编号
- C42401168
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
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梯度
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5+￥0.47215￥0.497
50+￥0.461795￥0.4861
150+￥0.45486￥0.4788
500+￥0.447925￥0.4715￥1414.5
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