HBSS138AKAR
HBSS138AKAR
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.3A的连续漏极电流（ID）、60V的最大漏源电压（VDSS）以及1000毫欧的导通电阻（RDS(on)），支持20V的栅源电压（VGS）。它适用于各种电路中的开关与放大功能，特别适合于需要高效率和低损耗的应用场景。其优良的电气特性，确保了在高频开关和精密控制电路中表现出色，同时，较低的导通电阻有助于减少发热，提升系统的整体性能。
- 商品型号
- HBSS138AKAR
- 商品编号
- C42401166
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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原价
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10+￥0.181985￥0.2141
100+￥0.17799￥0.2094
300+￥0.175355￥0.2063
1000+￥0.17272￥0.2032￥609.6
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