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HBSS138AKAR
耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.3A的连续漏极电流（ID）、60V的最大漏源电压（VDSS）以及1000毫欧的导通电阻（RDS(on)），支持20V的栅源电压（VGS）。它适用于各种电路中的开关与放大功能，特别适合于需要高效率和低损耗的应用场景。其优良的电气特性，确保了在高频开关和精密控制电路中表现出色，同时，较低的导通电阻有助于减少发热，提升系统的整体性能。
- 商品型号
- HBSS138AKAR
- 商品编号
- C42401166
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HIRLML6346TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源