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HSSM3K344RLF
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）拥有2.3A的连续排水电流（ID/A），最大可承受20V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为48毫欧，在栅源电压（VGS/V）达到12V时能有效工作。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源管理模块，如适配器内的开关电路，以及电池供电的小型设备中的电流调节与保护环节，确保电路稳定运行。
- 商品型号
- HSSM3K344RLF
- 商品编号
- C42401105
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
HSSM3J331RLF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -4.2A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON)为55mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON)为75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET