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HDMP4065S
40V 5A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的漏极电流（ID），适用于需要稳定电流处理的设计。其最大工作电压（VDSS）为40V，提供可靠的高压防护。导通电阻（RDSON）为68毫欧，有助于在导通期间减少发热和功率损耗。栅源电压（VGS）的绝对值可达20V，使得它易于与其他逻辑元件集成。该MOSFET可用于消费电子产品中的电源路径管理、电池保护电路及信号调节等场合。
- 商品型号
- HDMP4065S
- 商品编号
- C42401163
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028947克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
HDMP4065S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 40V,漏极电流ID = - 5A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 120mΩ
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直流-直流转换器