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HSBSS84LT1G
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有精细的电流处理能力，其最大导通电流ID为0.1A，适用于微小电流的应用场景；漏源电压VDSS为50V，适合在低压系统中使用；导通状态下的漏源电阻RDSON为2000毫欧，能够在低功率要求的情况下提供稳定的性能。此MOSFET支持最大栅源电压VGS为20V，适用于设计需要精确电流控制的电子玩具、家用电器控制电路以及个人电子产品中的负载开关等场合。
- 商品型号
- HSBSS84LT1G
- 商品编号
- C42401110
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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