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HDMP3099L
耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.1A的漏极电流（ID），适合应用于需要精确电流控制的电路中。其最大工作电压（VDSS）为30V，能够承受较高电压而不损坏。导通电阻（RDSON）为48毫欧，有助于减少电力损耗，提升电路效率。栅源电压（VGS）最高可达20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源开关、负载稳压以及信号电平转换等多种应用场景。
- 商品型号
- HDMP3099L
- 商品编号
- C42401162
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
HFDP083N15AF102采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 150 V，漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 11.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用