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HAOSS32136C
N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备6A的连续排水电流（ID/A），最大承受20V的漏源电压（VDSS/V）。其低至22毫欧的导通电阻（RDSON）有助于减少能量损耗。该器件适用于栅源电压（VGS/V）为12V的条件下操作，广泛应用于消费电子领域，如在电源适配器中作为开关元件，或在便携设备中用于电池管理和保护电路，确保高效率和稳定性。
- 商品型号
- HAOSS32136C
- 商品编号
- C42401106
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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