温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HTK50P04M1
N沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID），适用于高电流需求的应用中。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下使用的安全性。导通电阻（RDSON）仅为7.7毫欧，在导通状态下能有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为20V，便于电路设计时的驱动控制。此MOSFET适用于需要高效能转换与控制的场合，如电源管理模块、便携式设备充电电路等。
- 商品型号
- HTK50P04M1
- 商品编号
- C42401161
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.380808克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HTK50P04M1采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V \quad ID = 60 A
- RDS(ON) < 8.5 m Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源