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HIRF630PBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备9A的连续漏极电流能力，支持高达200V的漏源电压。其导通电阻仅为220毫欧姆，保证了较低的功率损耗与高效的电能转换。栅源电压范围为20V，适用于需要精确控制和快速开关的应用场景。此MOSFET设计紧凑、性能可靠，适合于各种要求严苛的电子设备中作为开关元件或信号放大器使用。
- 商品型号
- HIRF630PBF
- 商品编号
- C42401104
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.709091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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