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HAO3460
耐压:60V 电流:0.115A 停产
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- 描述
- 这款N沟道场效应管设计用于低功率应用，具有0.1A的连续漏极电流能力和60V的漏源电压。其导通电阻为1300毫欧姆，适合在对空间和效率有特定要求的小型电子装置中使用。栅源电压可达20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET适用于各种需要精密控制电路的工作环境，如便携式设备、消费电子产品等场合作为有效的开关或放大元件。
- 商品型号
- HAO3460
- 商品编号
- C42401108
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.020707克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HAO3460采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V ID = 0.115A
- RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET