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HFDP083N15AF102
N沟道 耐压:150V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有120A的漏极电流（ID/A），适用于需要较大电流的应用。其最大工作电压（VDSS/V）为150V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。导通电阻（RDSON/mR）为9.5毫欧，使得在导通状态下的功耗较低。栅源电压（VGS/V）为±20V，保证了良好的控制特性。该MOSFET适用于各种需要高效能和低损耗特性的电子设备，如电源适配器、消费类电子产品中的电源路径控制等。
- 商品型号
- HFDP083N15AF102
- 商品编号
- C42401102
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HFDP083N15AF102采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 150 V,漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 11.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用