温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HFDP083N15AF102
N沟道 耐压:150V 电流:120A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有120A的漏极电流（ID/A），适用于需要较大电流的应用。其最大工作电压（VDSS/V）为150V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。导通电阻（RDSON/mR）为9.5毫欧，使得在导通状态下的功耗较低。栅源电压（VGS/V）为±20V，保证了良好的控制特性。该MOSFET适用于各种需要高效能和低损耗特性的电子设备，如电源适配器、消费类电子产品中的电源路径控制等。
- 商品型号
- HFDP083N15AF102
- 商品编号
- C42401102
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 268pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |