温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HIRF630PBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道场效应管具备9A的连续漏极电流能力，支持高达200V的漏源电压。其导通电阻仅为220毫欧姆，保证了较低的功率损耗与高效的电能转换。栅源电压范围为20V，适用于需要精确控制和快速开关的应用场景。此MOSFET设计紧凑、性能可靠，适合于各种要求严苛的电子设备中作为开关元件或信号放大器使用。
- 商品型号
- HIRF630PBF
- 商品编号
- C42401104
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.709091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HIRF630PB采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 200 V，漏极电流（ID） = 9 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 260 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器