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CMB107N20
N沟道 200V 105A
- 描述
- 107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB107N20
- 商品编号
- C41410516
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.694克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V；8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.15nF |
商品概述
060N12采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流