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CMF13N65
N沟道 650V 13A
- 描述
- 这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件适用于开关电源（SMPS）和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF13N65
- 商品编号
- C39840870
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.787克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
65R550是一款功率MOSFET，采用了东微半导（Truesemi）先进的超级结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 8A、650V，VGS = 10V时，最大RDS（on）= 0.55Ω
- 超级结（Super-Junction）技术
- 更低的导通电阻与面积乘积（Ron*A）性能，提高导通状态效率
- 更低的品质因数（FOM），实现快速开关效率