CMP052N04
N沟道 40V 90A
- 描述
- 052N04采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP052N04
- 商品编号
- C39840880
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.602克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
073N15采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。150V、典型值6.2mΩ、160A的N沟道MOSFET
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动-电池管理-不间断电源
