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CMSA050N10
N沟道 100V 100A
- 描述
- CMSA050N10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时仍保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA050N10
- 商品编号
- C39840885
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
80R290R是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源