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CMSC075N04
N沟道 40V 50A
- 描述
- CMSC075N04采用先进的SGT技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。这是一款40V、典型值6.5mΩ、50A的N沟道MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC075N04
- 商品编号
- C39840888
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
CMSA6284采用先进的SGT技术，提供出色的RDS(O)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 小尺寸封装（5x6 mm），便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 高频DC/DC转换器