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CMU3090M
N沟道 30V 90A
- 描述
- 3090M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。3090M符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩能力（EAS）测试，且具备全面的功能可靠性认证
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU3090M
- 商品编号
- C39840892
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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