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CMU80R1K2
N沟道 800V 4.5A
- 描述
- 80R1K2是一款功率MOSFET，采用了Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU80R1K2
- 商品编号
- C39840893
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
优惠活动
购买数量
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