温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSC8447A
N沟道 40V 30A
- 描述
- CMSC8447A采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC8447A
- 商品编号
- C39840889
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 采用高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。
- 电压控制型小信号开关
- 坚固可靠
- 具备高饱和电流能力
- 静电放电（ESD）保护：2000V