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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 292A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF |
商品概述
CMN3416AM采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 17mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 21mΩ
- SOT-23-3L封装
- ESD保护：2000V
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 电源管理
- 电池供电系统