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CMSL107N20
N沟道 200V 120A
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- 描述
- CMSL107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效率快速开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSL107N20
- 商品编号
- C39840891
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.914克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSL107N20采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC和AC/DC转换器-电池供电系统-有刷和无刷直流电机驱动系统