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CMSL107N20
N沟道 200V 120A
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- 描述
- CMSL107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效率快速开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSL107N20
- 商品编号
- C39840891
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.914克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理