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CMSA075N04
N沟道 40V 65A
- 描述
- CMSA075N04采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA075N04
- 商品编号
- C39840886
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 770pF |
商品概述
CMS15DN03D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。适用于DC/DC转换器和通用应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极电荷-高电流承载能力-静电保护-符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器