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CMS15DN03D
双N沟道 30V 15A
- 描述
- CMS15DN03D采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该产品适用于直流-直流转换器及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS15DN03D
- 商品编号
- C39840884
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
65R300是一款功率MOSFET，采用了东微半导先进的超级结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，还具有低开关损耗的特点。
商品特性
- 15A、650V，在VGS = 10V时，最大RDS（on）= 0.3Ω
- 超级结技术
- 更低的Ron*A性能，提高导通状态效率
- 更低的品质因数（FOM），实现快速开关效率