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CMH65R115
N沟道 650V 33A
- 描述
- CMH65R115 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还能实现低开关损耗
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65R115
- 商品编号
- C39840875
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.806667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
012N10采用先进的技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流