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CMH85R290R
N沟道 850V 19A
- 描述
- CMH85R290R是一款功率MOSFET，采用了Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低开关损耗的优势，还具有低电磁干扰（EMI）的特点
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH85R290R
- 商品编号
- C39840876
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.825556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29.7pF |
商品概述
CMSC075N04采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载点（POL）应用
- 无刷直流（BLDC）电机驱动器