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CMN3416AM
N沟道 20V 6.5A
- 描述
- CMN3416AM采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用，具备静电放电（ESD）保护功能。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN3416AM
- 商品编号
- C39840877
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
65R140是一款功率MOSFET，采用了东微半导体（Truesemi）先进的超级结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低电磁干扰（EMI）优势，还具备低开关损耗的特点。
商品特性
- 22A、650V，在VGS = 10V时，最大RDS（on）= 0.14Ω
- 超级结技术
- 更低的导通电阻与面积乘积（Ron*A）性能，提高导通状态效率
- 更低的品质因数（FOM），实现快速开关效率